Utilisation de composants passifs hors puce pour maximiser les performances du GaN et réduire les coûts

RÉSUMÉ
Des décennies de recherche et de développement consacrées à la technologie des semi-conducteurs de puissance RF GaN ont conduit à une offre croissante de dispositifs de puissance RF abordables et dotés de performances impressionnantes. Les semi-conducteurs GaN ont une capacité matérielle réduite et une mobilité électronique améliorée, ce qui entraîne…
PUBLICATION
micro-ondesjournal.com
PUBLIÉ
2021 Octobre
LIEN DIRECT DE L'ARTICLE
Cliquez pour en savoir plus