Évaluation de la stabilité en température des amplificateurs de puissance GaN avec des condensateurs au tantale correspondants
Écrit par : Ron Demcko | Mitch Weaver | Daniel Ouest
Les dispositifs GaN et SiC à large bande interdite devraient connaître des niveaux de croissance élevés dans des applications allant de la conversion de puissance aux transistors RF et aux MMIC. Les utilisateurs finaux reconnaissent les avantages de la technologie GaN comme sa capacité à fonctionner sous des courants et des tensions plus élevés. Le marché du RF GaN devrait croître de 22.9 % TCAC sur la période 2017-2023, stimulé par la mise en œuvre des réseaux 5G. [1]
Au cours des dernières années, les semi-conducteurs à large bande ont atteint une BDV >1000 XNUMX V, ce qui ouvre de nouveaux défis pour les applications industrielles de haute puissance telles que les systèmes de traction électrique dans les tramways, les trolleybus ou les trains à grande vitesse, etc.
Les condensateurs au tantale de découplage et d'adaptation de BIAS sont utilisés en raison de la stabilité de leur valeur de capacité sur une large plage de températures, de leur capacité stable avec BIAS, de leur absence de sensibilité au bruit piézoélectrique dans les boîtiers de petite taille et à profil bas. Ils ne sont pas sujets à l'usure associée aux condensateurs électrolytiques en aluminium et présentent une fiabilité et une stabilité élevées en termes de température, de tension et de temps.