Composants passifs pour les appareils basés sur GaN
Écrit par : Ron Demcko | Daniel Ouest
Les limites théoriques des performances des dispositifs basés sur le silicium approchent à grands pas et, dans certains cas, sont déjà là. Par conséquent, les sociétés de conception de circuits intégrés (circuits intégrés) ont concentré leurs efforts sur la réduction des coûts tout en augmentant les performances des semi-conducteurs à large bande interdite tels que le GaN (nitrure de gallium).
Grâce à ces efforts intensifs, les dispositifs d'alimentation et RF (radiofréquence) basés sur GaN sont désormais disponibles auprès de plusieurs fabricants à des prix abordables.
Plusieurs sources ont documenté les avantages en termes de performances des semi-conducteurs basés sur GaN, à savoir une vitesse plus rapide, des pertes plus faibles et un fonctionnement fréquence-tension-température plus élevé. Ces avantages permettent, à leur tour, de permettre des systèmes finaux offrant des performances améliorées avec des niveaux de consommation d'énergie inférieurs dans des boîtiers plus petits et plus légers, qui sont plus fiables.
Les dispositifs GaN ont besoin de composants passifs hautes performances et créent un besoin pour de toutes nouvelles familles de dispositifs passifs.
